SPD08P06P G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.83 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

230 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

- 13 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

42 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

SIPMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

SPD08P06

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.5 S

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

46 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

48 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Teil # Aliase:

SP000450534 SPD08P06PGBTMA1 SPD8P6PGXT

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

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