DMN1053UCP4-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X3-DSN0808-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

38 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

350 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

15 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.34 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6 S

Abfallzeit:

2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.6 ns

Tags

DMN10, DMN1, DMN