IPB80P04P4L-08

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.9 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

71 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

75 W

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

OptiMOS-P2

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

IPB80P04P4L08ATMA1 IPB8P4P4L8XT SP000840208

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPB80P04P4L-0, IPB80P04P4L, IPB80P04, IPB80P, IPB8, IPB