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IXTA160N10T7

IXTA160N10T7
Mfr. #:
IXTA160N10T7
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTA160N10T7 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTA160N10T7 DatasheetIXTA160N10T7 Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXTA160N10T7 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-7
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
160 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
7 mOhms
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
430 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
4.7 mm
Länge:
10.2 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
9.4 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
42 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
61 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
49 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
33 ns
Gewichtseinheit:
0.056438 oz
Tags
IXTA160, IXTA16, IXTA1, IXTA, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTA160N10T7
DISTI # IXTA160N10T7-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 50:$2.9476
IXTA160N10T7
DISTI # 747-IXTA160N10T7		IXYS CorporationMOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 1:$4.2100
  • 10:$3.7700
  • 25:$3.2800
  • 50:$3.2100
  • 100:$3.0900
  • 250:$2.6400
  • 500:$2.5000
  • 1000:$2.1100
  • 2500:$1.8100
Bild Teil # Beschreibung
IXTA160N04T2

Mfr.#: IXTA160N04T2

OMO.#: OMO-IXTA160N04T2

 MOSFET 160Amps 40V
IXTA16N50P

Mfr.#: IXTA16N50P

OMO.#: OMO-IXTA16N50P

 MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
IXTA160N10T7

Mfr.#: IXTA160N10T7

OMO.#: OMO-IXTA160N10T7

 MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
IXTA160N085T

Mfr.#: IXTA160N085T

OMO.#: OMO-IXTA160N085T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 85V 160A TO-263
IXTA160N10T7

Mfr.#: IXTA160N10T7

OMO.#: OMO-IXTA160N10T7-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
IXTA160N075T

Mfr.#: IXTA160N075T

OMO.#: OMO-IXTA160N075T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 75V 160A TO-263
IXTA16N50P-TRL

Mfr.#: IXTA16N50P-TRL

OMO.#: OMO-IXTA16N50P-TRL-1190

 IXTA16N50P TRL / TR
IXTA160N10T

Mfr.#: IXTA160N10T

OMO.#: OMO-IXTA160N10T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
IXTA16N50P

Mfr.#: IXTA16N50P

OMO.#: OMO-IXTA16N50P-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
IXTA160N04T2

Mfr.#: IXTA160N04T2

OMO.#: OMO-IXTA160N04T2-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 160Amps 40V
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
4,50 $
4,50 $
10
4,02 $
40,20 $
25
3,50 $
87,50 $
50
3,43 $
171,50 $
100
3,30 $
330,00 $
250
2,82 $
705,00 $
500
2,67 $
1 335,00 $
1000
2,25 $
2 250,00 $
2500
1,93 $
4 825,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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