TSM60N1R4CH C5G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

880 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Qg - Gate-Ladung:

7.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

38 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Produkt:

Gleichrichter

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

24 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Tags

TSM60N1, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM