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IPF13N03LA G

IPF13N03LA G
Mfr. #:
IPF13N03LA G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPF13N03LA G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-252-Reverse-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
25 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
21.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
46 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
2.28 mm
Länge:
6.5 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
6.22 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
36 S / 18 S
Abfallzeit:
2.6 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
4.6 ns
Werkspackungsmenge:
2500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
5.4 ns
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
IPF13N, IPF13, IPF1, IPF
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
***i-Key
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPF13N03LA G
DISTI # IPF13N03LAGINCT-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 25V 30A DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		765In Stock
  • 100:$0.3884
  • 10:$0.4540
  • 1:$0.5300
IPF13N03LA G
DISTI # IPF13N03LAGINTR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 25V 30A DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPF13N03LA G
    DISTI # IPF13N03LAG    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 25V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 - Bulk (Alt: IPF13N03LAG)
    RoHS: Not Compliant
    Min Qty: 1137
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 11370:$0.2789
    • 5685:$0.2839
    • 3411:$0.2939
    • 2274:$0.3049
    • 1137:$0.3169
    IPF13N03LA G
    DISTI # 726-IPF13N03LAG    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2
    RoHS: Compliant    		0
      IPF13N03LAGInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
      RoHS: Compliant      		25000
      • 1000:$0.2900
      • 500:$0.3100
      • 100:$0.3200
      • 25:$0.3300
      • 1:$0.3600
      IPF13N03LAGInfineon Technologies AG 44391
        Bild Teil # Beschreibung
        IPF13N03LA G

        Mfr.#: IPF13N03LA G

        OMO.#: OMO-IPF13N03LA-G

        		 MOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2
        IPF13N03LA

        Mfr.#: IPF13N03LA

        OMO.#: OMO-IPF13N03LA-1190

        		 Neu und Original
        IPF13N03LA G

        Mfr.#: IPF13N03LA G

        OMO.#: OMO-IPF13N03LA-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
        IPF13N03LAG

        Mfr.#: IPF13N03LAG

        OMO.#: OMO-IPF13N03LAG-1190

        		 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 25V, 0.0128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
        Auf Bestellung:
        1500
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