DMN12M7UCA10-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X4-DSN3015-10

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.75 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

0.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

35.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.73 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

2830 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1468 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

2914 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

880 ns

Tags

DMN1, DMN