FQB7N60TM-WS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.13 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

QFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FQB7N60

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

60 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

80 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

65 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Teil # Aliase:

FQB7N60TM_WS

Tags

FQB7N60T, FQB7N60, FQB7N6, FQB7N, FQB7, FQB