ZXTD4591AM832TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

T

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MLP-832-8

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A, 1.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 1 mA, 5 V at NPN, 300 at 500 mA, 5 V at NPN, 200 at 1 A, 5 V at NPN, 35 at 2 A, 5 V at NPN, 300 at 1 mA, 5 V at PNP, 300 at 100 mA, 5 V at PNP, 250 at 500 mA, 5 V at PNP, 160 at 1 A, 5 V at PNP, 30 at 2 A, 5 V at PNP

Pd - Verlustleistung:

3000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZXTD45, ZXTD4, ZXTD, ZXT