HUFA75332G3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

T

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

19 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

145 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.82 mm

Länge:

15.87 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.82 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

55 ns

Werkspackungsmenge:

150

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

HUFA75332, HUFA7533, HUFA753, HUFA75, HUFA, HUF