DMP3036SSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

19.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

16 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

16.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMP3036

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

31.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

65 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.2 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMP3036SS, DMP3036, DMP303, DMP30, DMP3, DMP