STS25NH3LL-E

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.2 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

18 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

3.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.65 mm

Länge:

5 mm

Serie:

STS25NH3LL-E

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

30 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

50 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

75 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Gewichtseinheit:

0.002998 oz

Tags

STS25N, STS25, STS2, STS