ZX5T955ZTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 140 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 180 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 37 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

120 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZX5T955

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at - 1 A, - 5 V

Höhe:

1.6 mm

Länge:

4.6 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.6 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

5 at - 10 A, - 5 V

Pd - Verlustleistung:

2100 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

ZX5T955, ZX5T95, ZX5T9, ZX5T, ZX5