STD7N65M6

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DPAK-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

990 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.25 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

6.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

60 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

12.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.5 ns

Tags

STD7N65, STD7N6, STD7N, STD7, STD