CMPT5086 TR TIN/LEAD

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

3 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.3 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

40 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

CMPT5

DC-Stromverstärkung hFE Max:

500 at 100 uA, 5 V

Verpackung:

Spule

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

50 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

150 at 100 uA, 5 V

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

CMPT5086, CMPT50, CMPT5, CMPT, CMP