DMT6018LDR-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Paket / Koffer:

V-DFN3030-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, NPN

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

13 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

13.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.9 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

3.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.6 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.5 ns

Tags

DMT601, DMT60, DMT6, DMT