PMN42XPEAH

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

- 20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

- 5.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

46 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 1.25 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

17.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1310 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12.5 S

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Tags

PMN42XPEA, PMN42, PMN4, PMN