MCH6601-TL-E

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10.4 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

1.43 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Serie:

MCH6601

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

130 nS

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

55 nS

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

120 nS

Typische Einschaltverzögerungszeit:

24 nS

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

MCH6601, MCH660, MCH66, MCH6, MCH