SH8M12TB1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A, 4.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 mOhms, 40 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V, 2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

4 nC, 8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

5 ns, 50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns, 15 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26 ns, 70 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns, 7 ns

Tags

SH8M12, SH8M1, SH8M, SH8