R5007ANJTL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.05 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

120 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

40 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

R5007ANJ

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.5 S

Entwicklungs-Kit:

-

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Teil # Aliase:

R5007ANJ

Tags

R5007ANJ, R5007AN, R5007A, R5007, R500, R50