TT8K11TCR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSST-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

51 mOhms, 51 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

2.5 nC, 2.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

3 ns, 3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns, 13 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns, 20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns, 5 ns

Teil # Aliase:

TT8K11

Tags

TT8K11, TT8K1, TT8K, TT8