OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hallo, melde dich anMein Konto
0 Wagen

TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4
Mfr. #:
TH58NVG3S0HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TH58NVG3S0HBAI4 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TH58NVG3S0HBAI4 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
FBGA-63
Speichergröße:
8 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
1 G x 8
Timing-Typ:
Synchron
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
3.6 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Produkt:
Nand Flash
Geschwindigkeit:
25 ns
Marke:
Toshiba-Speicher
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
210
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TH58NVG3S0HB, TH58NVG3S0H, TH58NVG3S, TH58NVG3, TH58NVG, TH58NV, TH58N, TH58, TH5
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NAND Flash Serial 3.3V 8G-bit 1G x 8 63-Pin FBGA
***et
8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, VCC=2.7 to 3.6V
***i-Key
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
TH58NVG Series 16GB CMOS NAND EEPROM
Toshiba TH58NVG Series 16GB CMOS Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND EEPROM) offers 3.3V and is organized as (4096+256) bytes x 64 pages x 8192 blocks. Program and read data is transferred between the register and the memory cell array in 4352-byte increments, granted through two 4352-byte static registers. I/O pins are utilized for both address and data input/output including command inputs through the TH58NVG Series serial type memory. Applications include image file memory for still cameras, solid-state file storage and voice recording.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TH58NVG3S0HBAI4
DISTI # TH58NVG3S0HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 210:$8.9725
TH58NVG3S0HBAI4
DISTI # TH58NVG3S0HBAI4		Toshiba America Electronic Components8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, VCC=2.7 to 3.6V - Trays (Alt: TH58NVG3S0HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Americas - 0
  • 210:$7.4900
  • 420:$7.3900
  • 840:$7.2900
  • 1260:$7.1900
  • 2100:$6.9900
TH58NVG3S0HBAI4
DISTI # 757-TH58NVG3S0HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		175
  • 1:$12.1300
  • 10:$10.9200
  • 25:$9.9500
  • 100:$8.9800
  • 250:$8.2500
  • 500:$7.5200
  • 1000:$6.5500
Bild Teil # Beschreibung
AT24C04D-STUM-T

Mfr.#: AT24C04D-STUM-T

OMO.#: OMO-AT24C04D-STUM-T

 EEPROM 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOT23
ISO7141CCDBQR

Mfr.#: ISO7141CCDBQR

OMO.#: OMO-ISO7141CCDBQR

 Digital Isolators Small-FP & Low-Pwr 3/1 Quad Ch Dig Iso
ISO1540DR

Mfr.#: ISO1540DR

OMO.#: OMO-ISO1540DR

 Digital Isolators Low-Power,Bidirec I2C Iso
BSC340N08NS3 G

Mfr.#: BSC340N08NS3 G

OMO.#: OMO-BSC340N08NS3-G

 MOSFET N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
RC0402FR-0710KL

Mfr.#: RC0402FR-0710KL

OMO.#: OMO-RC0402FR-0710KL

 Thick Film Resistors - SMD 10K OHM 1%
RC0603FR-071KL

Mfr.#: RC0603FR-071KL

OMO.#: OMO-RC0603FR-071KL

 Thick Film Resistors - SMD 1K OHM 1%
GRM31CR61E476ME44K

Mfr.#: GRM31CR61E476ME44K

OMO.#: OMO-GRM31CR61E476ME44K-MURATA-ELECTRONICS

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT
AT24C04D-STUM-T

Mfr.#: AT24C04D-STUM-T

OMO.#: OMO-AT24C04D-STUM-T-MICROCHIP-TECHNOLOGY

 EEPROM SEEPROM, 4K, I2C - 1.7-3.6V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOT23
DF3EA-2P-2V(51)

Mfr.#: DF3EA-2P-2V(51)

OMO.#: OMO-DF3EA-2P-2V-51--HIROSE

 Neu und Original
CRCW04021K50FKEDC

Mfr.#: CRCW04021K50FKEDC

OMO.#: OMO-CRCW04021K50FKEDC-VISHAY-DALE

 D10/CRCW0402-C 100 1K5 1% ET7
Verfügbarkeit
Aktie:
165
Auf Bestellung:
2148
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von TH58NVG3S0HBAI4 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
8,60 $
8,60 $
10
7,92 $
79,20 $
25
7,75 $
193,75 $
50
7,72 $
386,00 $
100
6,93 $
693,00 $
250
6,72 $
1 680,00 $
500
6,39 $
3 195,00 $
1000
6,17 $
6 170,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Top