R6002END3TL1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

6.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

26 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.5 S

Abfallzeit:

60 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Tags

R6002E, R6002, R600, R60