STN1N20

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.8 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

STN1N20

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.5 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.7 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

STN1N2, STN1N, STN1, STN