NTR4171PT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

75 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

15.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.94 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTR4171P

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

1.3 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7 S

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

NTR4171PT1, NTR4171, NTR417, NTR41, NTR4, NTR