FDB0630N1507L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-7

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

130 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

26 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

97 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.7 mm

Länge:

10.2 mm

Serie:

FDB0630N1507L

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.4 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

63 S

Abfallzeit:

17 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

31 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

60 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

33 ns

Gewichtseinheit:

0.046279 oz

Tags

FDB06, FDB0, FDB