Jan2N4033/TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-39-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 100 mA, 5 V

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

25 at 1 A, 5 V

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

Jan2N403, Jan2N40, Jan2N4, Jan2N, Jan2, JAN