SSM6J53FE

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ES6-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

136 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.55 mm

Länge:

1.6 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

SSM6J53

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.2 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.001270 oz

Tags

SSM6J5, SSM6J, SSM6, SSM