2N5338

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-39-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

100 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

700 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

30 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Serie:

2N5338

DC-Stromverstärkung hFE Max:

120 at 2 A, 2 V

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Zentraler Halbleiter

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

30 at 2 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

6 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

2N5338 PBFREE

Gewichtseinheit:

0.035486 oz

Tags

2N533, 2N53, 2N5