RGTH80TK65GC11

RGTH80TK65GC11
Mfr. #:
RGTH80TK65GC11
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Beschreibung:
IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RGTH80TK65GC11 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ROHM Halbleiter
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-3PFM
Montageart:
Durchgangsloch
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
650 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
30 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
31 A
Pd - Verlustleistung:
66 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Verpackung:
Rohr
Marke:
ROHM Halbleiter
Gate-Emitter-Leckstrom:
200 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
IGBTs
Teil # Aliase:
RGTH80TK65
Tags
RGTH8, RGTH, RGT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 650V 31A 66000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube
***Components
In a Tube of 30, ROHM RGTH80TK65GC11 IGBT
***nell
IGBT, 650V, 31A, 175DEG C, 66W
***ark
Igbt, 650V, 31A, 175Deg C, 66W; Dc Collector Current:31A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.6V; Power Dissipation Pd:66W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:to-3Pfm; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes
Field Stop Trench IGBTs
ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy saving high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit withstand time, and built-in very fast & soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioner, welder, and general inverters for industrial use.
Bild Teil # Beschreibung
RGTH80TK65GC11

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IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGTH80TK65DGC11

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IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
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IGBT Transistors 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N
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IGBT Transistors 650V 40A IGBT Stop Trench
RGTH80TS65DGC11

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IGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
RGTH80TS65GC11

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650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTH80TS65

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Neu und Original
RGTH80TS65D

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ROHRGTH80TS65D (Alt: RGTH80TS65D)
Verfügbarkeit
Aktie:
450
Auf Bestellung:
2433
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4,97 $
10
4,23 $
42,30 $
100
3,66 $
366,00 $
250
3,48 $
870,00 $
500
3,12 $
1 560,00 $
1000
2,63 $
2 630,00 $
2500
2,50 $
6 250,00 $
5000
2,40 $
12 000,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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