IPU050N03L G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

50 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

68 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

3.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.7 ns

Teil # Aliase:

IPU050N03LGXK

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPU050, IPU05, IPU0, IPU