2N698 PBFREE

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-39-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

120 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.5 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

50 MHz

Serie:

2N69

DC-Stromverstärkung hFE Max:

60 at 150 mA, 10 V

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Zentraler Halbleiter

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20 at 150 mA, 10 V

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N698, 2N69, 2N6