IPN70R1K5CEATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

700 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.51 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

10.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

CoolMOS CE

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

18.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.7 ns

Teil # Aliase:

IPN70R1K5CE SP001458794

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

IPN70R1K5, IPN70R1, IPN70, IPN7, IPN