BSP296N H6433

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

329 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

6.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

BSP296

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.66 S

Abfallzeit:

5.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.8 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.5 ns

Teil # Aliase:

BSP296NH6433XTMA1 SP001098610

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

BSP296NH, BSP296N, BSP296, BSP29, BSP2, BSP