SSM3J64CTC,L3F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

CST3C-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

- 12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

- 1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

370 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 0.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 4.5 V

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

SSM3J64CTC

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

1250 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

160 ns

Tags

SSM3J6, SSM3J, SSM3, SSM