TPH5R60APL,L1Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

110 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

52 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

132 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

TPH5R60APL

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

54 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Tags

TPH5R, TPH5, TPH