ISP75DP06LMXTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

- 60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

- 1.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

750 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

- 4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

4.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

ISP06P009

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.8 S

Abfallzeit:

14 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Teil # Aliase:

ISP75DP06LM SP004987274

Tags

ISP75, ISP7, isp