NTTS2P03R2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Micro-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.48 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

85 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

780 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.95 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

40 ns, 20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns, 20 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns, 40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns, 10 ns

Tags

NTTS2P03, NTTS2P, NTTS2, NTTS, NTT