PMDPB85UPE,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-2020-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

82 mOhms, 82 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

950 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

8.1 nC, 8.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.17 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6 S, 6 S

Abfallzeit:

21 ns, 21 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

47 ns, 47 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns, 6 ns

Tags

PMDPB85, PMDPB8, PMDPB, PMDP, PMD