BSO200N03

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.56 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

2.6 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.9 ns

Teil # Aliase:

BSO200N03XT

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

BSO200N0, BSO200N, BSO200, BSO20, BSO2, BSO