APTM100A13SG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

RoHS:

Y

Produkt:

Leistungs-MOSFET-Module

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Montageart:

Schraubbefestigung

Paket / Koffer:

SP-6

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Rohr

Aufbau:

Single

Höhe:

21.9 mm

Länge:

108 mm

Breite:

62 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Abfallzeit:

24 ns

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

65 A

Pd - Verlustleistung:

1.25 kW

Produktart:

Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

130 mOhms

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

Handelsname:

POWER MOS 7

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Gewichtseinheit:

3.880136 oz

Tags

APTM100A13, APTM100A1, APTM100A, APTM100, APTM10, APTM1, APTM, APT