TPN2010FNH,L1Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSON-Advance-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

168 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

39 W

Aufbau:

Verdreifachen

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

3.1 mm

Serie:

TPN2010FNH

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.1 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

4.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.2 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Tags

TPN201, TPN20, TPN2, TPN