PSMN102-200Y,115

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

LFPAK56-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

102 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

113 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.1 mm

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

28 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

29.5 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14.2 ns

Gewichtseinheit:

0.003037 oz

Tags

PSMN102-2, PSMN10, PSMN1, PSMN, PSM