SSM6J212FE,LF

SSM6J212FE,LF
Mfr. #:
SSM6J212FE,LF
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SSM6J212FE,LF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SSM6J212FE,LF DatasheetSSM6J212FE,LF Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SSM6J212FE,LF Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
ES6-6
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
P-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
20 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
94 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
8 V
Qg - Gate-Ladung:
14.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
500 mW (1/2 W)
Aufbau:
Single
Verpackung:
Spule
Höhe:
0.55 mm
Länge:
1.6 mm
Serie:
SSM6J212
Transistortyp:
1 P-Channel
Breite:
1.2 mm
Marke:
Toshiba
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
4000
Unterkategorie:
MOSFETs
Gewichtseinheit:
0.001270 oz
Tags
SSM6J212, SSM6J21, SSM6J2, SSM6J, SSM6, SSM
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Bild Teil # Beschreibung
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Verfügbarkeit
Aktie:
20
Auf Bestellung:
2003
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