FQS4900TF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V, 300 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

550 mOhms, 15.5 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

FQS4900

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.7 S, 0.6 S

Abfallzeit:

17 ns, 47 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

21 ns, 25 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns, 35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.7 ns, 10 ns

Gewichtseinheit:

0.008127 oz

Tags

FQS4900, FQS49, FQS4, FQS