TGF2934

TGF2934
Mfr. #:
TGF2934
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2934 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TGF2934 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
20 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
50 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
145 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
2.5 A
Ausgangsleistung:
70 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Pd - Verlustleistung:
64 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
NI-360
Verpackung:
Tablett
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
3.7 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 40 C to + 85 C
Serie:
QPD
Marke:
Qorvo
Entwicklungs-Kit:
QPD1015PCB401
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
Transistoren
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 2.8 V
Tags
TGF293, TGF29, TGF2, TGF
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***W
RF Power Transistor, DC to 25 GHz, 14 dB,14 W, 28 V, GaN, 1.46X.55X.10, DIE
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Bild Teil # Beschreibung
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 40V DIE
Verfügbarkeit
Aktie:
50
Auf Bestellung:
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