NP36P04SDG-E1-AY

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Renesas Elektronik

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

36 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

17 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

1200 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

6.1 mm

Marke:

Renesas Elektronik

Abfallzeit:

140 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

250 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Gewichtseinheit:

0.011993 oz

Tags

NP36P04SDG-E, NP36P04S, NP36P04, NP36P, NP36, NP3