PN4209

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

15 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

15 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

4.5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.6 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

850 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

PN4209

DC-Stromverstärkung hFE Max:

120 at 10 mA, 300 mV

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

200 mA

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

35 at 1 mA, 500 mV

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

PBFREE PN4209

Tags

PN42, PN4