STB7N52K3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

525 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

850 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

33 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

90 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Serie:

STB7N52K3

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STB7N, STB7, STB