APT40SM120B

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

SiC

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

41 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

80 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V, - 10 V

Qg - Gate-Ladung:

130 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

273 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

APT40SM120

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Abfallzeit:

16 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Tags

APT40S, APT40, APT4, APT